MKP386M439200JT1 datasheet
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>> MKP386M439200JT1 薄膜电容器 MKP 386M 390nF 5% 2000V= datasheet 半导体模块
型号:
MKP386M439200JT1
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Roederstein
描述:
薄膜电容器 MKP 386M 390nF 5% 2000V=
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
半导体模块 >> 薄膜电容器
描述
薄膜电容器 MKP 386M 390nF 5% 2000V=
MKP386M439200JT1 PDF下载
制造商
Vishay/Roederstein
产品类型
Snubber
电介质
电容
0.39 uF
容差
5 %
电压额定值
系列
MKP386M
工作温度范围
0 C to 85 C
端接类型
Lug
引线间隔
28 mm
相关资料
属性
链接
代理商
MKP386M439200JT1
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MKP3V120G
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供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
13428937514
朱小姐
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
深圳市思诺康科技有限公司
0755-83286481
张小姐/Vivianvi
深圳市湘达电子有限公司
0755-83229772-83202753
朱平
无锡固电半导体股份有限公司
15961889150
刘小姐
MKP386M439200JT1 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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